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InAsSb (indium arsenide-antimonide)
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为明日而设计红外探测器：Baptiste Gonon-Mathieu 在 II-VI 研讨会上荣获最佳学生论文奖
CEA-Leti
半导体
航空航天
positive
法国国防采购机构DGA背景的博士生Baptiste在CEA-Leti的低温红外成像实验室开展研究，聚焦InAs/InAsSb纳米超晶格红外探测器中的电子输运与各向异性，并提出基于EBIC的新测量方法，可在深度方向解耦并量化垂直/水平运动。其成果已发表在《Journal of Electronic M