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Laboratoire des Technologies et de la Microélectronique (LTM)
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迈向未来微电子新材料：乔治斯·阿尔·霍耶克荣获UCPSS最佳学生论文奖
CEA-Leti
半导体
科研
positive
法国CEA-Leti与LTM实验室联合培养的博士生Georges Al Hoyek，因研究磷化铟表面功能化以提升其在微电子器件中的集成度，在国际UCPSS会议上荣获最佳学生论文奖。他的研究通过优化湿法清洗工艺，在氮气环境下有效去除磷化铟表面氧化物，为硅光子学和先进微电子集成提供了关键技术突破。这项工