L’armée américaine a sélectionné Navitas Semiconductor pour le programme ALATTIS, consacré au développement d’IGBT en carbure de silicium (SiC) de 10 kV. Le projet vise à établir aux États-Unis un procédé de fabrication destiné aux applications critiques de défense et d’infrastructures. L’Américain Navitas Semiconductor a été retenu à l’issue d’une mise en concurrence pour développer la […]

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