Le fabricant japonais lance un transistor GaN 650 V dans un boîtier de 8×8 mm refroidi sur les deux faces. Destiné aux alimentations 800 V des centres de données d’IA, il combine une résistance à l’état passant de 20 mΩ et un encombrement réduit de 57% par rapport à un modèle en boîtier TOLT de […]

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