法德尔·莫森（RMS团队）论文答辩：采用谐波抑制N路径混频器的28纳米FD-SOI宽带射频前端设计——面向低功耗与低复杂度架构
Thesis defence of Fadel Mohsen (RMS team): Design of a Wideband RF Front-End in 28-nm FD-SOI Using a Harmonic-Rejection N-Path Mixer for Low-Power and Low-Complexity Architecture
摘要
法德尔·莫森（RMS团队）的论文答辩主题为：采用28纳米FD-SOI工艺设计宽带射频前端，利用谐波抑制N路径混频器实现低功耗与低复杂度架构。该研究聚焦于先进半导体工艺下的射频电路创新，旨在提升无线通信设备的能效与集成度，对芯片设计与通信技术领域具有实际应用价值。
法德尔·莫森（RMS团队）的论文答辩主题为：采用28纳米FD-SOI工艺设计宽带射频前端，利用谐波抑制N路径混频器实现低功耗与低复杂度架构。该研究聚焦于先进半导体工艺下的射频电路创新，旨在提升无线通信设备的能效与集成度，对芯片设计与通信技术领域具有实际应用价值。
该文章仅爬取到标题，未获取到正文内容。
查看原文
Summary
Fadel Mohsen from the RMS team successfully defended his thesis on designing a wideband RF front-end using a 28-nm FD-SOI process and a harmonic-rejection N-path mixer, aiming to achieve low-power and low-complexity architecture for advanced wireless applications.
Fadel Mohsen from the RMS team successfully defended his thesis on designing a wideband RF front-end using a 28-nm FD-SOI process and a harmonic-rejection N-path mixer, aiming to achieve low-power and low-complexity architecture for advanced wireless applications.
Only the headline was crawled; full content was not available.
Read original
Résumé
Fadel Mohsen, membre de l'équipe RMS, a soutenu sa thèse sur la conception d'un front-end RF large bande en technologie 28-nm FD-SOI, utilisant un mélangeur N-path à rejet d'harmoniques. Ce travail vise à développer une architecture à faible consommation d'énergie et à faible complexité, prometteuse pour les futures applications de communication sans fil.
Fadel Mohsen, membre de l'équipe RMS, a soutenu sa thèse sur la conception d'un front-end RF large bande en technologie 28-nm FD-SOI, utilisant un mélangeur N-path à rejet d'harmoniques. Ce travail vise à développer une architecture à faible consommation d'énergie et à faible complexité, prometteuse pour les futures applications de communication sans fil.
Seul le titre a été récupéré.
Lire l'originalCore Point
A researcher successfully defended a thesis on designing a low-power, low-complexity wideband RF front-end using a harmonic-rejection N-path mixer in 28-nm FD-SOI technology.
Key Players
RMS team — Research team in microelectronics, likely based in France.
Industry Impact
- ICT: High — Advances low-power RF design for communications.
- Terminals/Consumer Electronics: Medium — Enables more efficient wireless devices.
- Computing/AI: Low — Potential for edge AI hardware.
Tracking
Monitor — Represents incremental academic progress in RF semiconductor design, not an immediate commercial product.
Highlights
Local Research
Related Companies
No companies linked yet
Categories
半导体
科研
AI Processing
2026-04-14 23:13
deepseek / deepseek-chat