GaN : Renesas augmente sa cadence de production
面对电力电子市场需求的急剧增长，瑞萨电子（Renesas）正快速提升其氮化镓（GaN）功率半导体的产能。德国半导体设备供应商爱思强（Aixtron）宣布，已向瑞萨交付多台 Planetary G5+C 系列 MOCVD 系统，这些设备现已投入运行，用于大幅强化 GaN 芯片的制造能力。
此次部署的 Planetary G5+C 是爱思强专为 GaN 功率器件及射频器件量产而设计的金属有机物化学气相沉积平台，具备高吞吐量、优异的晶圆内与晶圆间均匀性，尤其适合在硅或碳化硅衬底上生长 GaN 外延层。瑞萨通过引入该平台，旨在加速从研发到量产的爬坡进程，满足数据中心电源、车载充电器、光伏逆变器及快充适配器等应用对高效、高频功率器件的激增需求。
虽然双方未披露具体扩产规模，但爱思强强调此次交付的“多台系统”将显著提升瑞萨的 GaN 产能，巩固其在宽禁带半导体领域的供应地位，并缩短面向工业和汽车客户的交付周期。
Renesas is accelerating its gallium nitride (GaN) semiconductor production in response to soaring demand in power electronics. The company has taken delivery of multiple Aixtron Planetary G5+C MOCVD systems, which are already operational, to significantly boost its manufacturing capacity for GaN devices. The move underscores the rapid adoption of GaN technology in applications ranging from power supplies to automotive and renewable energy systems, where higher efficiency and compact form factors are critical. By integrating Aixtron’s latest metal-organic chemical vapor deposition tools into its fab, Renesas aims to secure a stronger position in the expanding power semiconductor market.
Face à l’explosion de la demande en électronique de puissance, Renesas déploie de nouveaux systèmes MOCVD d’Aixtron, déjà opérationnels, pour accélérer la montée en cadence de sa production de semi-conducteurs GaN. Le groupe allemand Aixtron annonce avoir livré à Renesas plusieurs systèmes MOCVD de la gamme Planetary G5+C, destinés à renforcer significativement la capacité de […]
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为应对功率电子激增需求，瑞萨部署爱思强的MOCVD系统来大幅提升氮化镓半导体产能，此为扩产关键一步。
强烈追踪 — 瑞萨作为功率半导体主要玩家大幅扩产GaN，预示高效器件市场进入快速增长期。