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马克西姆·库洛博士论文答辩——面向神经形态计算的基于GeTe的铁电肖特基二极管忆阻开关研究

PhD Defense by Maxime CULOT – Memristive switching in GeTe-based ferroelectric Schottky diodes for neuromorphic computing

法国SPINTEC实验室研究员Maxime CULOT将于1月21日进行博士论文答辩,主题为基于锗碲(GeTe)的铁电肖特基二极管忆阻器在神经形态计算中的应用研究。该研究针对大语言模型算力需求激增带来的能耗挑战,探索了新型铁电忆阻器在实现高能效、紧凑型内存计算方面的潜力,并特别验证了GeTe/Mg结构器件的电阻开关特性及其在交叉阵列中抑制漏电路径的优势。这项工作为人工智能硬件和布尔逻辑应用提供了有