2026年1月28日，意大利墨西拿大学的IEEE纳米技术理事会杰出讲师Giovanni Finocchio将在法国SPINTEC研究所举办研讨会，主题为“自适应伊辛机：结合振荡动力学与概率采样的新范式”。他将介绍如何利用自旋电子技术实现伊辛机，并首次提出能动态切换确定性与概率计算模式的自适应硬件平台，该研究由欧盟及意大利多个项目资助，旨在为组合优化问题提供可扩展的CMOS兼容解决方案。

法国格勒诺布尔将于2026年1月29日至30日举办首届"微波自旋电子学研讨会"，聚焦智能通信系统中的能量收集、通信、安全及边缘计算等应用。该活动由Spintec组织，在格勒诺布尔INP-UGA大学的GReeN-ER校区举行，免费注册截止日期为2026年1月15日。研讨会旨在探讨自旋电子学技术在通信领域的创新潜力与产业影响。

法国SPINTEC实验室研究员Maxime CULOT将于1月21日进行博士论文答辩，主题为基于锗碲（GeTe）的铁电肖特基二极管忆阻器在神经形态计算中的应用研究。该研究针对大语言模型算力需求激增带来的能耗挑战，探索了新型铁电忆阻器在实现高能效、紧凑型内存计算方面的潜力，并特别验证了GeTe/Mg结构器件的电阻开关特性及其在交叉阵列中抑制漏电路径的优势。这项工作为人工智能硬件和布尔逻辑应用提供了有

日本理化学研究所等团队通过将磁性钇铁石榴石薄膜集成到压电基底上，实现了声表面波的非互易传输。该研究展示了声子与磁振子耦合导致的单向声波吸收效应，为射频信号处理提供了新方案。

斯平泰克实验室研究员伊拉里亚·迪马尼西将于12月18日进行博士论文答辩，主题为《面向存储与神经形态应用的拓扑自旋纹理电操控》。研究重点包括：在合成反铁磁体中实现每秒900米的高速斯格明子移动，在磁隧道结中电控斯格明子生成与湮灭，并利用自旋纹理动力学成功演示了时序模式识别等神经形态计算任务。该工作为开发基于自旋纹理的纳米级低功耗人工智能硬件开辟了新路径。