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EUV光刻:据称中国在ASML方面落后20年

Lithographie EUV : la Chine aurait 20 ans de retard sur ASML

UBS称,短期内中国难以在至少十年内追赶ASML在EUV光刻技术上的领先优势,其当前技术水平相当于ASML约2004年的水平;但中国可能在2到5年内缩小其在DUV设备方面的差距。该判断凸显ASML在全球EUV光刻设备领域的关键地位及对中国半导体制造能力的长期影响。

VIPress.net 半导体 ASML UBS