3月11日，SPINTEC实验室的Subham Senapati将进行博士论文答辩，主题为评估自旋轨道矩磁性存储器在低温应用中的性能。该研究通过实验和建模，系统分析了自旋轨道矩磁隧道结在室温至液氦温度（4K）下的工作特性，发现自加热效应是低温写入操作的主要限制因素。论文指出，通过优化存储层厚度和电场

法国格勒诺布尔CEA-Leti与Spintecin、以及C2N/巴黎萨克雷大学的研究团队在《Nature Communications》发表论文，展示了一种混合纳米电子Ising机器：用基于氧化铪（hafnium-oxide）的ReRAM（电阻式随机存取存储器）存储问题图，并与热噪声驱动的随机磁隧道

法国格勒诺布尔研究团队在《Nature Communications》发表论文，来自CEA-Leti与Spintecin Grenoble、以及C2N/Université Paris-Saclay等机构，提出一种混合纳电子 Ising 机器：用基于HfO₂的ReRAM（电阻式存储器）存储问题图，并

法国格勒诺布尔的研究团队（CEA-Leti、Spintecin Grenoble、C2N/Université Paris-Saclay）在《Nature Communications》发表论文，提出一种混合纳米电子伊辛机：用氧化铪ReRAM（hafnium-oxide ReRAM）存储问题图结构，