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PhD Defense by Subham Senapati – Spin-orbit torque based magnetic memories evaluation for cryogenic applications
3月11日，SPINTEC实验室的Subham Senapati将进行博士论文答辩，主题为评估自旋轨道矩磁性存储器在低温应用中的性能。该研究通过实验和建模，系统分析了自旋轨道矩磁隧道结在室温至液氦温度（4K）下的工作特性，发现自加热效应是低温写入操作的主要限制因素。论文指出，通过优化存储层厚度和电场调控各向异性，自旋轨道矩磁存储器有望成为未来低温计算平台（如量子处理器和超导电子）的可行存储解决方案
French Research Teams Demonstrate Hybrid Nanoelectronic Ising Machine for Combinatorial Optimization
法国格勒诺布尔CEA-Leti与Spintecin、以及C2N/巴黎萨克雷大学的研究团队在《Nature Communications》发表论文，展示了一种混合纳米电子Ising机器：用基于氧化铪（hafnium-oxide）的ReRAM（电阻式随机存取存储器）存储问题图，并与热噪声驱动的随机磁隧道结（SMTJs）耦合，通过“内禀退火”在搜索过程中逐步降低随机性，从而减少数据搬运与显式数字指令开销
French Research Teams Demonstrate Hybrid Nanoelectronic Ising Machine for Combinatorial Optimization
法国格勒诺布尔研究团队在《Nature Communications》发表论文，来自CEA-Leti与Spintecin Grenoble、以及C2N/Université Paris-Saclay等机构，提出一种混合纳电子 Ising 机器：用基于HfO₂的ReRAM（电阻式存储器）存储问题图，并用随机磁隧道结（SMTJ）提供热噪声驱动的概率“是/否”变量，通过随ReRAM读电压变化的耦合实现“
French Research Teams Demonstrate Hybrid Nanoelectronic Ising Machine for Combinatorial Optimization
法国格勒诺布尔的研究团队（CEA-Leti、Spintecin Grenoble、C2N/Université Paris-Saclay）在《Nature Communications》发表论文，提出一种混合纳米电子伊辛机：用氧化铪ReRAM（hafnium-oxide ReRAM）存储问题图结构，并结合热噪声驱动的随机磁隧道结（SMTJs）作为概率型比特，通过调节ReRAM阵列读出电压实现“内禀