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脉冲整形抑制SOT-MRAM中的本征回切
Spintec News 半导体 人工智能
2026-07-05 positive

Spintec与Antaios合作发现,SOT-MRAM在高电流下会因内在反向切换机制导致写入概率下降或振荡,通过延长脉冲下降时间(2至4纳秒)可有效抑制该现象,显著拓宽可靠写入窗口。该研究在β-W霍尔交叉结构和完整SOT-MRAM单元上均得到验证,对提升存储器可靠性和推动技术成熟具有关键意义。

法国奥弗涅-罗讷-阿尔卑斯大区宣布,将对受格勒诺布尔—瓦朗斯铁路在Poliénas路段中断影响的TER月票/订票用户提供50%的补偿。此次措施由大区交通部门推出,旨在缓解通勤乘客因线路停运造成的出行损失,并体现地方政府对区域铁路服务中断的补救。

法国主题公园Vulcania宣布将在2031年前投资2900万欧元,推出“夏威夷探险”新设施并建造主题小屋。该项目由法国领土银行和公园所有者奥弗涅-罗讷-阿尔卑斯大区提供支持,旨在推动年游客量突破40万人次,提升区域旅游吸引力。

绿党指控奥弗涅-罗讷-阿尔卑斯大区前主席洛朗·沃基耶存在挪用公共资金行为,并称其为“事实上的主席”,此事可能对该地区的政治信任与治理造成冲击。

neutral

在BEYOND5项目框架下,法国CEA-Leti研究所的研究人员成功开发出基于SOI(绝缘体上硅)技术的低能耗射频功率模块,该创新成果在2025年IEEE RFIC会议上获奖。该项目由Soitec公司协调,联合了欧洲10个国家的37家产学研机构,旨在利用SOI技术提升射频通信(尤其是车联网)的功率输

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