Lithographie EUV : la Chine aurait 20 ans de retard sur ASML
据瑞士银行 UBS 的判断，中国在极紫外光刻（EUV）领域短期内仍难以追上 ASML，至少还需要 10 年；以当前技术水平来看，中国大致相当于 ASML 在 2004 年的状态，也就是落后约 20 年。相比之下，在深紫外光刻（DUV）设备方面，中国有望在未来 2 到 5 年内缩小差距。
ASML 目前仍是全球唯一能够制造 EUV 光刻设备的厂商，这一技术壁垒也是先进制程芯片制造的关键门槛。UBS 的判断意味着，中国即便在光刻设备国产化上持续推进，真正突破最先进制程所依赖的 EUV 环节，仍将面临长期追赶压力；而在更成熟、应用更广的 DUV 领域，追赶速度则可能明显更快。
Selon UBS, la Chine accuse encore un retard d’au moins dix ans sur ASML dans la lithographie EUV, avec un niveau technologique comparable à celui du groupe néerlandais en 2004. La banque suisse estime en revanche que l’écart pourrait être comblé beaucoup plus vite sur les équipements DUV, où Pékin pourrait revenir à niveau dans un délai de deux à cinq ans.
ASML demeure, à ce jour, le seul fabricant mondial capable de produire des machines de lithographie EUV, un maillon essentiel de la fabrication des puces les plus avancées. Cette avance technologique place le groupe au cœur des enjeux industriels et géopolitiques liés aux semi-conducteurs, alors que la Chine cherche à réduire sa dépendance aux technologies occidentales.
UBS souligne ainsi que, malgré les efforts chinois pour accélérer son industrie des équipements pour semi-conducteurs, le rattrapage sur l’EUV reste un objectif de long terme, bien plus difficile que sur le DUV.
Selon la banque suisse UBS, la Chine ne rattrapera pas l’avance d’ASML en lithographie EUV avant au moins dix ans, son niveau technologique actuel correspondant à celui d’ASML en 2004. En revanche, elle pourrait combler son retard en équipements DUV d’ici deux à cinq ans. ASML reste à ce jour le seul fabricant mondial capable […]
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UBS称中国在EUV光刻上至少10年内难以追上ASML，技术水平相当于ASML约2004年水平；但在DUV设备上可能2-5年内缩小差距，影响先进芯片产能竞争格局。
ASML — 全球EUV光刻机核心供应商，荷兰。
中国（相关半导体制造与设备产业） — 先进制程扩产与光刻设备追赶方，中国。
UBS — 瑞士投行，发布对半导体设备技术差距的评估。
[Strongly track] — EUV追赶周期与DUV补位路径将直接影响中国先进制程进展与ASML/设备供应链订单。