法国CEA-Leti与LTM实验室联合培养的博士生Georges Al Hoyek，因研究磷化铟表面功能化以提升其在微电子器件中的集成度，在国际UCPSS会议上荣获最佳学生论文奖。他的研究通过优化湿法清洗工艺，在氮气环境下有效去除磷化铟表面氧化物，为硅光子学和先进微电子集成提供了关键技术突破。这项工作有望推动磷化铟等替代硅材料在未来光电子器件制造中的应用。

CEA-Leti研究员José Luis González Jimenez凭借论文“A 58 Gb/s D-band NLOS link enabled by active RIS”在欧洲微波周获奖，该成果基于与Intel、Dell等合作的欧洲及法国未来网络项目，展示了可放大信号的有源智能超表面。此项技术可在D波段实现非视距58 Gb/s超高速无线传输，为未来6G和智能工厂等动态环境提供可重构、低