乔治·阿尔·霍耶克（Georges Al Hoyek）凭借题为“面向明日微电子的新材料”的论文，获得了 UCPSS 最佳学生论文奖。该成果聚焦微电子新材料研发，体现了学术界在推动下一代电子器件材料创新方面的进展，并可能对未来芯片性能与制造工艺产生影响。

法国CEA-Leti与LTM实验室联合培养的博士生Georges Al Hoyek，因研究磷化铟表面功能化以提升其在微电子器件中的集成度，在国际UCPSS会议上荣获最佳学生论文奖。他的研究通过优化湿法清洗工艺，在氮气环境下有效去除磷化铟表面氧化物，为硅光子学和先进微电子集成提供了关键技术突破。这项工作有望推动磷化铟等替代硅材料在未来光电子器件制造中的应用。