在2026年IRPS国际可靠性物理研讨会上，CEA-Leti将发布7篇论文，并参与另外2个项目，研究覆盖器件物理、工艺集成、RF、FD-SOI、GaN、BEOL可靠性及低温3D顺序集成等方向。论文与STMicroelectronics、明尼苏达大学等合作，重点展示了基于物理建模和先进表征的早期可靠性评估方法，可为功放、汽车/航天GaN器件、3D图像传感器和先进FD-SOI/GAA/CFET设计提供

乔治·阿尔·霍耶克（Georges Al Hoyek）凭借题为“面向明日微电子的新材料”的论文，获得了 UCPSS 最佳学生论文奖。该成果聚焦微电子新材料研发，体现了学术界在推动下一代电子器件材料创新方面的进展，并可能对未来芯片性能与制造工艺产生影响。