CEA-Leti与初创公司NcodiN宣布合作，推进300毫米硅光子技术的产业化，目标是满足AI互连对超高带宽和低功耗的需求。双方将结合CEA-Leti在半导体工艺与集成方面的能力，以及NcodiN在光互连方案上的技术，面向数据中心和AI基础设施市场加速产品落地。此举有望提升芯片间和系统间通信效率，

法国原子能与替代能源委员会（CEA）展示了首个可动态路由的电光路由器，面向光子中介层（photonic interposers）应用，这一成果标志着光互连在芯片封装中的关键进展。该技术可在电信号与光信号之间实现更灵活、高效的切换与传输，有望提升高性能计算和数据中心芯片间通信的带宽与能效。

CEA-Leti 验证了首款芯片级超高速、可电池供电的电子顺磁共振（EPR）光谱仪，这一成果标志着EPR设备正向更小型化、便携化方向迈进。该项目由 CEA-Leti 推动，核心突破在于将原本通常体积较大、功耗较高的分析仪器缩小到芯片尺度，并实现电池供电运行。此技术有望降低EPR在科研和工业检测中的使

施耐德电气与法国原子能与替代能源委员会（CEA）宣布续签双方共建的网络安全联合实验室，继续围绕工业系统与关键基础设施的安全防护开展研究。该合作将由双方专家团队推进，重点提升工业数字化环境中的威胁检测、系统韧性和安全设计能力，预计有助于增强法国及相关行业的工业网络安全水平。

CEA 与 Soitec 宣布启动新的合作区域，以加强双方在半导体材料与技术方面的联合研发。该合作由法国原子能与替代能源委员会（CEA）和晶圆材料公司 Soitec 推动，旨在加速创新并提升相关产业链的技术竞争力。

CEA-Leti在2025年展示了多项半导体与微电子创新，重点覆盖先进封装、低功耗芯片、传感器和量子/光子技术等方向，体现其在法国和欧洲深科技研发中的核心地位。该机构联合多家产业与科研伙伴推进成果转化，相关项目由其团队及合作企业共同推动，目标是提升芯片性能、降低能耗并加速新一代电子产品落地。

Lam Research 与法国 CEA-Leti 宣布扩大研发合作，重点推进面向先进半导体制造的特殊工艺技术开发。双方将围绕关键设备与工艺创新展开更深入协作，参与方包括 Lam Research 和 CEA-Leti，目标是提升相关制造能力并加速新技术落地，对半导体产业链的技术升级具有推动作用。

CEA-Leti 展示了一种将 MicroLED 与有机光电探测器结合的显示集成光学传感架构，可在同一面板上同时实现显示与感知功能。该技术由法国 CEA-Leti 研发，旨在提升屏幕内传感能力，减少额外摄像头或传感器组件，为智能设备的人机交互、环境感知和低功耗集成显示带来新的应用潜力。

法国CEA-Leti与加拿大C2MI宣布加强合作，聚焦先进半导体技术，旨在推动法加两国在芯片研发、制造与产业化方面的协同创新。双方将联合推进关键技术开发，涉及相关企业与研究人员的跨国合作，以提升在先进半导体领域的竞争力和供应链韧性。

CEA-Leti 宣布在硅集成量子级联激光器（QCL）方面取得进展，面向中红外光子学应用，目标是把这类通常依赖 III-V 材料的激光器更紧密地集成到硅平台上。该项目由 CEA-Leti 推动，重点提升中红外光源在芯片级系统中的可制造性与集成度。此举有望推动气体传感、环境监测和工业检测等领域的中红外

CEA-Leti 与意法半导体（STMicroelectronics）合作，推出了一套可穿戴连续汗液监测系统，旨在用于健康与 wellness 领域的生理数据采集。该系统结合了双方在微电子与传感技术方面的能力，可持续追踪汗液中的关键指标，为个性化健康管理、运动监测和早期异常预警提供新的技术路径。

CEA-Leti 与意法半导体（STMicroelectronics）在 IEDM 2025 上展示了一项关于“全单片硅射频前端”的论文，提出了将射频前端器件更紧密集成到单一硅平台上的技术路径。该成果由 CEA-Leti 和 STMicroelectronics 联合完成，重点在于提升射频系统的集成

CEA-Leti 将启动一项多方合作计划，利用 MicroLED 数据链路加速 AI 计算与通信发展，重点提升芯片间高速互连能力。该项目由 CEA-Leti 牵头，预计联合产业和研究伙伴共同推进，相关技术有望降低数据传输瓶颈、提升能效，并推动下一代 AI 硬件架构落地。

Soitec 与 CEA-Leti 宣布合作，利用 FD-SOI 技术提升汽车网络安全，重点面向车载电子系统中对安全与可靠性要求更高的应用。双方将结合 Soitec 的半导体材料能力与 CEA-Leti 的研发实力，推动更适合汽车场景的低功耗、高安全芯片方案落地。此举有望增强汽车电子的抗攻击能力，并

由法国 CEA-Leti 领衔的团队开发出首个混合存储器技术，可在芯片上同时支持 AI 的学习与推理，标志着边缘 AI 硬件的重要突破。该成果涉及法国科研机构与合作伙伴，核心在于将存储与计算更紧密结合，以降低功耗、减少延迟并提升本地智能处理能力。

CEA-Leti 将在 MicroLED Connect 大会上展示其在超紧凑、高分辨率 AR/VR 显示方面的突破，重点围绕 MicroLED 技术在更小体积下实现更高像素密度与显示性能。该成果由 CEA-Leti 团队推动，面向增强现实和虚拟现实设备的下一代显示需求，可能有助于提升头显的轻薄化、

CEA-Leti 与 Soitec 宣布建立战略合作，计划利用 FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）技术提升集成电路的安全性。双方将结合 CEA-Leti 的研发能力与 Soitec 的硅片材料优势，重点面向更安全的芯片设计与制造。此举有望增强半导体在汽车、物联网和边缘计算等领域的防护能力，并推动安全芯

应用材料公司（Applied Materials）与法国半导体研究机构 CEA-Leti 扩大联合实验室合作，聚焦推动特种芯片（specialty chips）创新，涵盖先进材料、器件与制造工艺研发。双方表示，此举将加强在汽车、物联网、工业和边缘计算等领域所需芯片技术的开发能力，并进一步提升欧洲半导

Lam Research 与法国 CEA-Leti 扩大研发合作，聚焦推进特殊工艺技术的制造能力，双方将继续围绕先进半导体制造开展联合研究。此次合作涉及 Lam Research 和 CEA-Leti 的技术团队，目标是提升相关设备与工艺创新，加速面向特定应用的芯片制造进展。

CEA-Leti在2025年展示了多项半导体与微电子创新，重点包括面向先进制程、低功耗芯片、传感器和异构集成的研发成果，体现其在法国和欧洲芯片创新生态中的核心地位。该机构与多家产业伙伴及研究团队合作推进相关技术落地，旨在提升芯片性能、能效和制造能力，并强化欧洲在关键半导体技术上的竞争力。