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用于微型、纳米和生物技术的等离子体刻蚀与剥离工艺
CEA-Leti
半导体
航空航天
positive
该文章报道了2026年6月8日至9日在法国格勒诺布尔MINATEC举办的干法刻蚀与等离子体加工研讨会，重点围绕半导体、MEMS及新兴应用的干刻蚀、等离子体工艺与相关挑战，并安排了多场主题报告与海报，包括GeTe等离子体刻蚀用于RF开关、基于SOI/SiN的先进光子平台、GeSe-GeTe与GeSe-
2026 VLSI研讨会
CEA-Leti
半导体
人工智能
neutral
法国CEA-Leti将在2026年IEEE VLSI研讨会上展示三项成果：一篇关于工程化3D HZO铁电电容器以将嵌入式FeRAM缩至22nm的论文，以及神经技术和用于硅量子比特控制的低温CMOS电路两个报告。这些进展由CEA-Leti团队推动，有望在先进存储、神经形态计算和量子计算领域产生重大技术