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plasma etch and strip processes for micro-, nano- and bio-technologies
该文章报道了2026年6月8日至9日在法国格勒诺布尔MINATEC举办的干法刻蚀与等离子体加工研讨会，重点围绕半导体、MEMS及新兴应用的干刻蚀、等离子体工艺与相关挑战，并安排了多场主题报告与海报，包括GeTe等离子体刻蚀用于RF开关、基于SOI/SiN的先进光子平台、GeSe-GeTe与GeSe-GeTe薄膜的HBr/H+等离子体刻蚀、LiNbO3波导的反应离子刻蚀以及F等离子体用于腔体清洗的效
2026 VLSI SYMPOSIUM
法国CEA-Leti将在2026年IEEE VLSI研讨会上展示三项成果：一篇关于工程化3D HZO铁电电容器以将嵌入式FeRAM缩至22nm的论文，以及神经技术和用于硅量子比特控制的低温CMOS电路两个报告。这些进展由CEA-Leti团队推动，有望在先进存储、神经形态计算和量子计算领域产生重大技术影响。
We’re excited to welcome you back to PCIM! Join us to discover our latest innovations through live demonstrations, including:- Ultra thin power converter based on piezoelectric storage,- Smart multilevel converter utilizing flying capacitor topology- High Power multilevel GaN DCDC converter for fuel cell to battery voltages adaptation- Predictive maintenance on power electronic based on non invasive sensors.Focus will be put on CEA Wide Band Gap roadmap and technologies to address high demand a
法国CEA-Leti研究所宣布将亮相2026年多场国际科技展会，其中在6月9日至11日的纽伦堡PCIM展会将展示PowerGaN、压电DC-DC转换器与AI预测维护方案，并发布高效率燃料电池升压转换器等成果，联系人Philippe Despesse。同时，该机构还将参与EuCNC & 6G峰会，展出分布式MIMO、语义通信等6G技术，以及出席LID世界峰会和干法刻蚀研讨会，分享半导体与先进封装进展