据路透社报道，韩国SK hynix正在与英特尔洽谈在美国俄亥俄州英特尔工厂代工/生产内存芯片的可能协议，这将是SK hynix在美国本土生产内存芯片的“首次”。该合作若推进将提升英特尔与SK hynix在美国供应链中的产能与竞争力，但也可能遭到韩国方面的反对。

SK hynix 计划在美国印第安纳州建设其首座面向宽带存储器（HBM）的先进封装/调试工厂，项目总投资超40亿美元，并配套建设研发与测试中心。该工厂预计于2029年下半年开始量产，旨在提升HBM产能与交付能力；相关消息由 VIPress.net 报道。

中国存储芯片厂商YMTC计划在上海证券交易所融资近50亿美元，估值约275-3300亿人民币（41-49亿美元），并在招股文件中提出到2027年前成为全球NAND第一。文章称其凭借自研架构Xtacking实现更快的研发与制造周期、出货份额一度跻身全球前三（约14%），但盈利能力不及三星等对手。与此同

SK Group（含SK Telecom）与Nvidia宣布达成一项规模超过5000亿美元的长期合作：在韩国建设AI数据中心，并由SK hynix与Nvidia在新一代HBM高带宽内存的研发与供货上展开合作。该协议将强化Nvidia在AI算力基础设施的落地能力，同时提升SK系供应链对先进AI内存的供

韩国首尔高等法院在今年夏天维持了对SK hynix前员工的判决：其因窃取并提取集团机密文件、用于向中国企业推介自身而被判18个月监禁。相关报道指出，该案涉及与CMOS传感器相关的机密泄露，凸显企业在跨境商业活动中对知识产权与保密合规的高压监管。

韩国SK hynix计划在其位于永仁（Yongin）和清州（Cheongju）的两处基地投入约54,0000亿韩元（文中对应约378亿美元/37.8 Md$）新建与扩产，以在AI带动的存储需求激增背景下保障内存产能与供货稳定。文章强调，能否在正确时间点交付市场预期的产量将成为SK hynix在与竞争

三星和SK海力士将在韩国西南部新建四座工厂，作为韩国政府主导的半导体“大跃进”计划的一部分，旨在称霸全球高带宽内存（HBM）市场。首尔还计划五年内将DRAM产量翻倍，该计划总投资规模高达5780亿美元，重点押注AI芯片所需关键内存技术。

SK海力士已开始向关键客户提供HBM4E内存样品，其每引脚速度达16 Gbit/s，能效提升20%。继三星之后，这家韩国AI内存巨头正加速抢占下一代高带宽存储器市场，进一步强化其在人工智能领域的竞争优势。

Anthropic 在提交上市申请次日宣布将漏洞检测计划 Project Glasswing 扩展至 15 国以上的 150 个组织，包括法国、德国等欧洲国家及北约、三星、SK 海力士等，利用 Claude Mythos Preview 模型发现高危漏洞。该模型因具备复杂网络攻击能力曾受严格管控，此

SK海力士通过引入更高效的散热方案，显著提升了HBM内存芯片的性能。这一技术改进旨在满足人工智能与高性能计算对高带宽、低功耗内存的严苛需求，有望进一步巩固其市场领导地位。

三星、SK海力士与美光在人工智能关键的高带宽内存（HBM）领域形成绝对垄断，三家巨头掌控了全球AI加速芯片所需内存的几乎全部供应。这种局面既保障了AI算力基础设施的核心部件供给，也引发了市场对供应链高度集中的担忧。

Scaleway收购了HPC专业公司Qarnot，Capgemini计划裁减85名AI研究员，SK海力士成功完成估值265亿美元的IPO。