SK海力士已开始向关键客户供应其新一代HBM4E内存样品，这是继三星之后，又一家韩国存储巨头将HBM4E推进至送样阶段。该新品每引脚数据速率提升至16 Gbps，同时能效较前代产品增加了20%，专门面向高带宽需求的AI加速器市场。虽然官方未披露具体客户名单，但英伟达、AMD等高端GPU厂商被认为是主要潜在用户。此举标志着在三星率先提供HBM4E样品后，SK海力士迅速跟进，两大韩企围绕AI内存制高点的竞赛进一步升温。HBM4E作为HBM4的增强版本，旨在为下一代大模型训练和推理芯片提供更高的吞吐能力和更低的功耗，此次样品的快速交付有助于巩固SK海力士在HBM领域的领导地位，并为后续量产和争取主力订单奠定基础。
轮到SK海力士出样HBM4E内存
Au tour de SK hynix d’échantillonner des mémoires HBM4E
摘要
SK海力士已开始向关键客户提供HBM4E内存样品，其每引脚速度达16 Gbit/s，能效提升20%。继三星之后，这家韩国AI内存巨头正加速抢占下一代高带宽存储器市场，进一步强化其在人工智能领域的竞争优势。
SK海力士已开始向关键客户提供HBM4E内存样品，其每引脚速度达16 Gbit/s，能效提升20%。继三星之后，这家韩国AI内存巨头正加速抢占下一代高带宽存储器市场，进一步强化其在人工智能领域的竞争优势。
Summary
SK hynix has started sampling its HBM4E memory, which reaches 16 Gbps per pin and delivers a 20% improvement in energy efficiency, with early units shipped to key customers. The move follows a similar sampling push by Samsung, intensifying the rivalry between the two Korean memory giants in supplying high-bandwidth memory for AI processors.
SK hynix has started sampling its HBM4E memory, which reaches 16 Gbps per pin and delivers a 20% improvement in energy efficiency, with early units shipped to key customers. The move follows a similar sampling push by Samsung, intensifying the rivalry between the two Korean memory giants in supplying high-bandwidth memory for AI processors.
SK hynix has started shipping samples of its next-generation HBM4E memory to key customers, hot on the heels of a similar announcement from Samsung. The new high-bandwidth memory achieves 16 Gbit/s per pin and delivers a 20% improvement in energy efficiency over previous generations, targeting the demanding needs of AI accelerators and high-performance computing.
Résumé
SK hynix a annoncé l’expédition d’échantillons de sa mémoire HBM4E, offrant 16 Gbit/s par broche et une efficacité énergétique améliorée de 20 %. Cette avancée, destinée aux applications d’IA, suit celle de Samsung, intensifiant ainsi la rivalité entre les deux leaders coréens des mémoires haute performance.
SK hynix a annoncé l’expédition d’échantillons de sa mémoire HBM4E, offrant 16 Gbit/s par broche et une efficacité énergétique améliorée de 20 %. Cette avancée, destinée aux applications d’IA, suit celle de Samsung, intensifiant ainsi la rivalité entre les deux leaders coréens des mémoires haute performance.
La nouvelle mémoire HBM4E de SK hynix atteint 16 Gbit/s par broche avec une efficacité énergétique en hausse de 20%. Des échantillons ont déjà été expédiés à des clients clés. Après Samsung, c’est au tour de l’autre grand spécialiste coréen des mémoires dédiées à l’IA, SK hynix, d’annoncer l’expédition d’échantillons de sa mémoire HBM4E à […]
Cet article Au tour de SK hynix d’échantillonner des mémoires HBM4E a été publié par VIPress.net.
核心要点
SK hynix开始提供HBM4E内存样品，带宽达16 Gbit/s/引脚，能效提升20%，对加速下一代AI硬件至关重要。
关键参与者
- SK hynix — 韩国存储芯片制造商，专注AI用高带宽内存（HBM），总部利川。
- Samsung — 韩国半导体巨头，同为先导的HBM内存供应商，总部水原。
行业影响
- ICT: 高 — 提升数据中心内存带宽与能效，支撑大型AI训练与推理。
- 计算/AI: 高 — 直接优化AI芯片内存性能，推动下一代AI硬件平台发展。
追踪
强烈跟踪 — HBM4E样品交付标志着关键AI内存向量产迈进，将影响全球AI供应链竞争格局。
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半导体
人工智能
AI Processing
2026-06-22 20:49
deepseek / deepseek-v4-pro