SK海力士已开始向关键客户供应其新一代HBM4E内存样品，这是继三星之后，又一家韩国存储巨头将HBM4E推进至送样阶段。该新品每引脚数据速率提升至16 Gbps，同时能效较前代产品增加了20%，专门面向高带宽需求的AI加速器市场。虽然官方未披露具体客户名单，但英伟达、AMD等高端GPU厂商被认为是主要潜在用户。此举标志着在三星率先提供HBM4E样品后，SK海力士迅速跟进，两大韩企围绕AI内存制高点的竞赛进一步升温。HBM4E作为HBM4的增强版本，旨在为下一代大模型训练和推理芯片提供更高的吞吐能力和更低的功耗，此次样品的快速交付有助于巩固SK海力士在HBM领域的领导地位，并为后续量产和争取主力订单奠定基础。
轮到SK海力士出样HBM4E内存
Au tour de SK hynix d’échantillonner des mémoires HBM4E
摘要
SK海力士已开始向关键客户提供HBM4E内存样品，其每引脚速度达16 Gbit/s，能效提升20%。继三星之后，这家韩国AI内存巨头正加速抢占下一代高带宽存储器市场，进一步强化其在人工智能领域的竞争优势。
SK海力士已开始向关键客户提供HBM4E内存样品，其每引脚速度达16 Gbit/s，能效提升20%。继三星之后，这家韩国AI内存巨头正加速抢占下一代高带宽存储器市场，进一步强化其在人工智能领域的竞争优势。
Summary
SK hynix has started sampling its HBM4E memory, which reaches 16 Gbps per pin and delivers a 20% improvement in energy efficiency, with early units shipped to key customers. The move follows a similar sampling push by Samsung, intensifying the rivalry between the two Korean memory giants in supplying high-bandwidth memory for AI processors.
SK hynix has started sampling its HBM4E memory, which reaches 16 Gbps per pin and delivers a 20% improvement in energy efficiency, with early units shipped to key customers. The move follows a similar sampling push by Samsung, intensifying the rivalry between the two Korean memory giants in supplying high-bandwidth memory for AI processors.
SK hynix has started shipping samples of its next-generation HBM4E memory to key customers, hot on the heels of a similar announcement from Samsung. The new high-bandwidth memory achieves 16 Gbit/s per pin and delivers a 20% improvement in energy efficiency over previous generations, targeting the demanding needs of AI accelerators and high-performance computing.
Résumé
SK hynix a annoncé l’expédition d’échantillons de sa mémoire HBM4E, offrant 16 Gbit/s par broche et une efficacité énergétique améliorée de 20 %. Cette avancée, destinée aux applications d’IA, suit celle de Samsung, intensifiant ainsi la rivalité entre les deux leaders coréens des mémoires haute performance.
SK hynix a annoncé l’expédition d’échantillons de sa mémoire HBM4E, offrant 16 Gbit/s par broche et une efficacité énergétique améliorée de 20 %. Cette avancée, destinée aux applications d’IA, suit celle de Samsung, intensifiant ainsi la rivalité entre les deux leaders coréens des mémoires haute performance.
La nouvelle mémoire HBM4E de SK hynix atteint 16 Gbit/s par broche avec une efficacité énergétique en hausse de 20%. Des échantillons ont déjà été expédiés à des clients clés. Après Samsung, c’est au tour de l’autre grand spécialiste coréen des mémoires dédiées à l’IA, SK hynix, d’annoncer l’expédition d’échantillons de sa mémoire HBM4E à […]
Cet article Au tour de SK hynix d’échantillonner des mémoires HBM4E a été publié par VIPress.net.
Core Point
SK hynix has begun sampling its HBM4E memory, delivering 16 Gbit/s per pin and 20% greater energy efficiency, intensifying competition with Samsung for dominance in AI-critical high-bandwidth memory.
Key Players
- SK hynix — South Korean memory chipmaker specialized in HBM for AI accelerators and data centers.
- Samsung — South Korean semiconductor giant that previously sampled its own HBM4E, directly competing in the AI memory segment.
Industry Impact
- Computing/AI: High — HBM4E is a foundational component for next-gen AI accelerators, directly boosting training and inference performance while reducing power demands.
- ICT: Medium — Enables more efficient data center servers and HPC infrastructure, accelerating compute density for cloud and enterprise AI.
Tracking
Strongly track — HBM4E sampling is a pivotal event in the AI memory race, with immediate implications for GPU/accelerator roadmaps and data center efficiency standards.
Categories
半导体
人工智能
AI Processing
2026-06-22 20:49
deepseek / deepseek-v4-pro