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Tech Breakthrough
Local Research
Improving GaN Etching for micro-LEDs: Sandra Kozuch Wins Best Student Presentation at AVS
CEA-Leti 博士生 Sandra Kozuch 在 AVS 会议上凭借氮化镓（GaN）像素侧壁无损刻蚀工艺获奖，她与设备商 Lam Research 合作开发了一种控制聚合物层沉积的 CH₄/H₂/Ar 等离子刻蚀新机制。这项技术可改善微型发光二极管（micro-LED）的电光效率，对增强现实显示和高性能数据中心的光纤通信应用具有重要商业价值。