法国无晶圆厂公司iNGage开发出高性能多轴MEMS惯性导航传感器，其核心创新在于将MEMS与NEMS技术结合，研发出比现有汽车和消费级传感器灵敏度高10倍的集成组件，可在无GPS信号时实现高速行驶一分钟仅50厘米的定位误差。该公司凭借该技术荣获Bpifrance的2024年i-Lab创新奖，并于2025年被法国汽车工业协会PFA选入 Automotive Lab加速计划，以推动其技术进入汽车供应

法国研究机构CEA-Leti将于2026年4月26日至5月1日在夏威夷举行的MRS春季会议上展示其硬件安全创新成果，包括VASCO2和SCIBE工具演示，并发表三篇关于3D集成电路可靠性、半导体制造问题解决方案及压电设备材料优化的论文。此外，CEA-Leti还将在同年6月于法国格勒诺布尔举办的LID世界峰会上介绍MEMS技术的最新进展，并在台湾新竹与美国比佛利山分别举办半导体技术交流会和IRPS

2026年3月19日，法国CEA-Leti与波兰华沙理工大学CEZAMAT-WUT在华沙签署谅解备忘录，旨在深化双方在FD-SOI技术和半导体领域的合作。该合作获得了法国与波兰政府高层代表的共同支持，将聚焦辐射抗性元件研发、知识共享与人才培养，以增强欧洲技术主权。此次合作亦与欧洲芯片法案框架下的FAMES试点项目及RESOLVE倡议协同，推动构建更具韧性的欧洲半导体生态系统。

2026年3月19日，法国CEA-Leti与波兰华沙理工大学CEZAMAT-WUT在华沙签署合作备忘录，双方将围绕FD-SOI技术和抗辐射元件等半导体领域深化合作。此次合作得到波兰数字事务部及法国驻波兰大使馆等官方机构支持，旨在利用CEZAMAT的4000平方米洁净室等设施，共同推进欧洲在航天、国防等关键领域的芯片原型制造能力。该合作同时呼应欧洲《芯片法案》战略框架，通过RESOLVE等倡议强化欧

法国CEA-Leti和CEA-List研究所与台湾力积电（PSMC）达成战略合作，将结合RISC-V处理器设计与硅光技术，为AI系统开发高带宽、低功耗的3D集成解决方案。此举旨在突破传统芯片互连的物理限制，应对半导体行业在能效与计算架构方面的挑战。

施耐德电气与法国原子能和替代能源委员会（CEA）决定将双方已合作六年的联合实验室再延长三年。此次续约旨在持续应对工业设备从设计到使用全生命周期的网络安全挑战，双方将聚焦后量子密码、嵌入式AI安全等前沿领域，并继续利用CEA在硬件安全评估方面的专业能力与施耐德在安全编码方面的经验。此前该实验室已开发出无线通信协议漏洞测试平台等先进工具，未来三年将重点研究基于AI的嵌入式系统异常行为检测等关键技术。

法国CEA-Leti与LTM实验室联合培养的博士生Georges Al Hoyek，因研究磷化铟表面功能化以提升其在微电子器件中的集成度，在国际UCPSS会议上荣获最佳学生论文奖。他的研究通过优化湿法清洗工艺，在氮气环境下有效去除磷化铟表面氧化物，为硅光子学和先进微电子集成提供了关键技术突破。这项工作有望推动磷化铟等替代硅材料在未来光电子器件制造中的应用。

法国初创公司Moon Photonics（CEA-Leti于2026年1月成立的衍生公司）宣布开发出具有创纪录灵敏度的光子探测器。该公司计划在2027年推出首代用于红外探测的组件，并目标在2030年将第二代产品应用于量子计算等领域。其核心技术采用碲镉汞半导体材料，使探测器灵敏度比现有方案提升高达20倍，并能在更高温度（80K）下运行，目前已吸引工业界关注并正在完成首轮融资。

欧洲专利局发布2025年技术仪表板报告，法国原子能与替代能源委员会（CEA）再次跻身欧洲前五十大专利申请机构。同时，CEA在格勒诺布尔启动了欧洲微电子试验线FAMES，旨在加速芯片创新并提升欧洲技术主权。此外，法国政府与EDF、法马通、欧安诺等企业共同推进核电复兴计划，确认在彭利新建两座EPR2反应堆，以保障低碳电力供应。

法国CEA-Leti研究所启用了一座2000平方米的洁净室，专门用于300毫米芯片制造，该设施是其FAMES试点产线的一部分，旨在推动欧洲半导体价值链发展。该项目获得8.3亿欧元资金支持，涉及11个欧洲合作伙伴，重点研发FD-SOI、3D集成等先进微电子技术。新设施采用可持续设计，预计每年可减少65.1万公斤二氧化碳排放，为欧洲芯片法案提供产业对接平台。

Lam Research与法国CEA-Leti研究所达成多年合作协议，共同研发用于下一代特种技术器件的新型复合半导体材料与工艺。合作将聚焦微机电系统、3D传感、射频滤波及光子学等领域，旨在加速开发更节能的高性能器件解决方案。Lam将借助其脉冲激光沉积等技术，结合CEA-Leti的材料分析能力，共同攻克人工智能与高性能计算设备的制造难题。

CEA-Leti将于2026年4月21日至22日在日本东京举办第17届MEMS工程师论坛（MEF2026），聚焦MEMS技术发展路线图，特别是麦克风MEMS和光机械传感等下一代设备。此外，CEA-Leti还将在同年6月于法国格勒诺布尔、美国洛杉矶等地举办多场半导体行业峰会，展示其在硅光子学、先进异构集成、微LED及AI硬件架构等领域的最新成果，旨在促进全球产业合作与技术创新。

在BEYOND5项目框架下，法国CEA-Leti研究所的研究人员成功开发出基于SOI（绝缘体上硅）技术的低能耗射频功率模块，该创新成果在2025年IEEE RFIC会议上获奖。该项目由Soitec公司协调，联合了欧洲10个国家的37家产学研机构，旨在利用SOI技术提升射频通信（尤其是车联网）的功率输出、线性度和能效。研发的可重构前端模块在5-7GHz频段实现了性能优化与能耗降低，其卓越表现获得了工

法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）与半导体材料企业Soitec近日在其洁净室内设立了专属合作区域，旨在深化双方长期合作关系并加速Soitec的研发进程。该区域将配备约30台专用设备和30名专职人员，重点推进氮化镓（GaN）和磷化铟（InP）两类III-V族半导体材料的试验线研发。此次合作延续了双方自1992年以来的创新传统，并通过定制化生产管理系统优化研发流程，以提升技术转化

法国研究机构CEA-Leti在2025年通过"从实验室到市场"战略取得显著成果，重点推进半导体、传感器、量子技术等领域的创新，并与学术界及工业界伙伴（包括初创企业和行业巨头）深化合作，强化了欧洲半导体生态系统竞争力。其技术转化加速为多个行业提供了实际应用解决方案。

在2026年IRPS国际可靠性物理研讨会上，CEA-Leti将发布7篇论文，并参与另外2个项目，研究覆盖器件物理、工艺集成、RF、FD-SOI、GaN、BEOL可靠性及低温3D顺序集成等方向。论文与STMicroelectronics、明尼苏达大学等合作，重点展示了基于物理建模和先进表征的早期可靠性评估方法，可为功放、汽车/航天GaN器件、3D图像传感器和先进FD-SOI/GAA/CFET设计提供

法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）与初创公司NcodiN合作，宣布启动硅基光子平台的产业化进程。该合作旨在将实验室技术转化为可大规模生产的解决方案，推动光子集成电路在通信和计算等领域的商业应用。