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Local Research
CEA-Leti & STMicroelectronics’ Paper at IEDM 2025 Demonstrates Path to Fully Monolithic Silicon RF Front-Ends
CEA-Leti 与意法半导体（STMicroelectronics）在 IEDM 2025 上展示了一项关于“全单片硅射频前端”的论文，提出了将射频前端器件更紧密集成到单一硅平台上的技术路径。该成果由 CEA-Leti 和 STMicroelectronics 联合完成，重点在于提升射频系统的集成度、缩小体积并降低制造复杂度。若该方案进一步成熟，可能推动未来移动通信和无线设备射频模块向更高性能、