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Tech Breakthrough
Local Research
Pulse Shaping Suppresses Intrinsic Back-Switching in SOT-MRAM
Spintec与Antaios合作发现，SOT-MRAM在高电流下会因内在反向切换机制导致写入概率下降或振荡，通过延长脉冲下降时间（2至4纳秒）可有效抑制该现象，显著拓宽可靠写入窗口。该研究在β-W霍尔交叉结构和完整SOT-MRAM单元上均得到验证，对提升存储器可靠性和推动技术成熟具有关键意义。