研究人员在 Ta/FeCoB/TaOx 超薄三层中发现，随着铁磁层 FeCoB 厚度变化，Dzyaloshinskii–Moriya 反相（DMI）手性会发生符号翻转：在双楔形样品与磁光克尔显微镜实验中，磁畴壁在电流驱动下的运动方向随厚度与 TaOx 氧化程度相反，且手性分界处出现“零DMI线”。该

研究团队在分子束外延（MBE）制备的Co掺杂Fe₅GeTe₂（FCGT）薄膜中，先在厘米级面积的较厚多层薄膜实现室温以上铁磁性（最高约370 K），随后在Ge(111)衬底上生长严格二维的单层薄膜，在最佳Co含量（约每5个Fe中替换1个）时将居里温度提升至约200 K，创下二维范德华磁体新纪录。同步

Spintec与Antaios合作发现，SOT-MRAM在高电流下会因内在反向切换机制导致写入概率下降或振荡，通过延长脉冲下降时间（2至4纳秒）可有效抑制该现象，显著拓宽可靠写入窗口。该研究在β-W霍尔交叉结构和完整SOT-MRAM单元上均得到验证，对提升存储器可靠性和推动技术成熟具有关键意义。

CEA-Leti在ECTC 2026上宣布，成功演示了间距低至1微米的芯片到晶圆（D2W）混合键合功能测试载体，为高性能计算、智能视觉和AI的3D集成带来突破。该技术可大幅提升AI加速器的互连密度与带宽，缩短数据路径以降低功耗，但1微米间距的良率仍受现有键合工具对位精度限制。研究在欧盟FAMES试点

CEA-Leti在ECTC 2026上宣布，成功展示了间距低至1微米的芯片到晶圆（D2W）混合键合功能测试载具，该技术通过缩短互连路径大幅提升数据传输速度并降低功耗，旨在解决高性能计算和AI加速器的互连密度瓶颈。该研究在FAMES试点线和法国2030倡议下的NextGen项目框架内进行，由CEA-L

CEA-Leti主导的SEQUANCES项目（自2023年起为期三年）致力于研究量子密钥分发（QKD）系统光电数字接口可能遭受的物理攻击，以深化对该技术的理解并提升其成熟度。该项目增强了CEA-Leti在量子密码领域的专业能力，该机构还参与了法国国家科研署（ANR）资助的QCommTestbed项目