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Tech Breakthrough Local Research
CEA-Leti 平台为芯片制造商提供纳米级应变测绘

CEA-Leti Platform Offers Chipmakers Nanometre- Scale Strain Mapping

法国 CEA‑Leti 推出一项“应变测绘”服务:利用透射电子显微镜(TEM)配合进动电子衍射(PED),通过锥形扫描获得更高质量衍射数据,并结合约 80nm 厚的 FIB 制备芯片薄片,实现器件晶格参数的高分辨测量。该方法可输出约 1nm 空间分辨率、~0.02% 精度的应变图谱,已在多台 TEM 上部署(目前 3 台),通过流程简化与加速提升样品吞吐与表征交付速度。对半导体制造与先进微电子器件

CEA-Leti 半导体 科研 CEA-Leti (CEA-Leti)
Local Research Tech Breakthrough
脑机接口:卒中后康复的新纪元

​Brain-Computer Interface: A New Era for Post-Stroke Rehabilitation

法国原子能与替代能源委员会(CEA)于2025年3月启动“AUDACE!”科研计划,动员CEA全部研究领域及法国80多所高校伙伴,围绕约10个项目推进新科学概念并扫清关键技术障碍;该计划由法国政府“France 2030”出资4000万欧元支持。CEA-Leti参与BrainSync项目,利用其WIMAGINE®脑机接口技术推进脑卒中后神经康复,并已在《The Lancet Neurology》和

CEA-Leti 人工智能 生物技术 科研 CEA-Leti (CEA-Leti) European Commission France 2030
Tech Breakthrough
Setis 共同建造最大的光学望远镜

Setis coconstruit le plus grand des télescopes optiques

法国科技企业Setis参与共建全球最大的光学望远镜,该项目将大幅提升天文观测精度,推动天体物理前沿研究,并凸显欧洲在大型科研设施领域的协作实力。

BrefEco 航空航天 科研 Setis
Tech Breakthrough
Christian JUTTEN – 大奖「克劳德·香农-哈里·奈奎斯特技术成就奖」(2023年获奖者)

Christian JUTTEN – Grand Prix « Claude Shannon-Harry Nyquist Technical Achievement Award » (Lauréat 2023)

2023年,法国科研人员克里斯蒂安·朱滕(Christian Jutten)荣获由IEEE信号处理学会颁发的“克劳德·香农-哈里·奈奎斯特技术成就大奖”,以表彰其在盲源分离和独立成分分析等领域的开创性技术贡献。该奖项是信号处理界的顶级荣誉,凸显了其研究成果在通信与数据科学中的深远影响。

GIPSA-lab News 科研
Tech Breakthrough Local Research Event
智能表面助力超高速网络:José Luis González Jiménez 在 EuMW 会议上获奖

Des surfaces intelligentes pour des réseaux ultra-rapides : José Luis González Jiménez récompensé à la conférence EuMW

CEA-Leti研究员José Luis González Jimenez凭借论文“A 58 Gb/s D-band NLOS link enabled by active RIS”在欧洲微波周获奖,该成果基于与Intel、Dell等合作的欧洲及法国未来网络项目,展示了可放大信号的有源智能超表面。此项技术可在D波段实现非视距58 Gb/s超高速无线传输,为未来6G和智能工厂等动态环境提供可重构、低

CEA-Leti 人工智能 电信 科研 CEA-Leti (CEA-Leti) Talent Impulse Intel
Tech Breakthrough Local Research
用于超高速网络的智能表面:José-Luis González Jiménez 在 EuMW 获表彰

Smart Surfaces for Ultra-Fast Networks: José-Luis González Jiménez Honored at EuMW

CEA-Leti 研究工程师 José Luis González Jiménez 凭借与英特尔合作开发的 58 Gb/s D 波段非视距有源可重构智能表面(RIS)链路,在欧洲微波周获奖。该成果基于欧盟及法国“未来网络”等项目,并与戴尔、Intracom Telecom 等企业协同,旨在实现 6G 超高速、低延迟无线通信。其技术通过动态放大和重定向信号,可突破复杂工业场景中的障碍,为下一代智能工

CEA-Leti 半导体 电信 科研 CEA-Leti (CEA-Leti) Intel Dell
Tech Breakthrough
ePMOS:面向电力电子的更紧凑GaN CMOS元件

ePMOS : vers des composants CMOS en GaN plus compacts pour l’électronique de puissance

法国卡诺研究所网络旗下的ePMOS项目团队,研发出一种基于氮化镓(GaN)的电子传导型PMOS晶体管架构,通过仿真与接触层实验实现了更高电流控制性能。该技术可将逻辑电路与功率器件集成在单一芯片上,有望大幅缩小电脑、手机及电动车充电器的体积。

CEA-Leti 半导体 能源 科研 Carnot
Local Research Tech Breakthrough
迈向更紧凑的氮化镓CMOS功率电子器件

Toward More Compact GaN CMOS Devices for Power Electronics

CEA-Leti研究团队在Carnot ePMOS项目中,通过数值模拟与实验深入优化了基于电子导电的GaN PMOS晶体管,实现了电流导通与关断的最佳参数组合。该成果有助于将逻辑与功率器件集成到单个氮化镓芯片上,显著缩小GaN CMOS器件尺寸。未来可应用于制造更紧凑的电源转换器,进而减小笔记本电脑、智能手机和电动汽车充电器的体积。

CEA-Leti 半导体 科研 CEA-Leti (CEA-Leti) Carnot
Tech Breakthrough
SUMOT(2025)

SUMOT (2025)

一项专利逆变-增压器技术为电机设计带来突破,类似电动涡轮,可瞬时提升电机功率,从而打造更紧凑、更耐用的驱动系统。

Linksium 能源 汽车 创业
Tech Breakthrough
德龙省。在伊泽尔河畔罗芒,法马通揭幕其“欧洲独一无二”的增材制造中心。

Drôme.À Romans-sur-Isère, Framatome inaugure son centre « unique en Europe » de fabrication additive

法马通(Framatome)在法国罗芒索伊斯尔正式启用了其号称“欧洲独一无二”的增材制造中心。该中心专注于核能领域的3D打印技术应用,将显著提升法马通在关键部件原型设计和生产上的敏捷性与技术自主性。

Le Dauphine Libere 半导体 能源 Framatome
Tech Breakthrough
IBM 发布 0.7 纳米芯片架构

IBM dévoile une architecture de puce 0,7 nm

IBM 公布了 0.7 纳米芯片架构,采用新型晶体管设计突破制程极限。这项技术有望大幅提升计算能效,对半导体行业产生深远影响。

Le Monde Informatique 半导体 IBM
Tech Breakthrough
快讯:IBM发布0.7纳米芯片,Cloudflare推出Pact以消除CAPTCHA,苹果提高Mac和iPad价格

Telex : IBM dévoile une puce en 0,7 nm, Cloudflare lance Pact pour éliminer les Captcha, Apple augmente les prix des Mac et des iPad

IBM发布0.7纳米芯片,突破半导体微缩极限;Cloudflare推出Pact方案以消除验证码,提升用户体验与安全性;苹果上调Mac和iPad售价,直接影响消费者购买成本。

Le Monde Informatique 半导体 云计算 网络安全 Apple IBM Cloudflare
Investment Tech Breakthrough
城市热浪:这家初创公司准备将一款充气遮阳棚投入工业化生产

Canicules en ville : cette start-up s'apprête à industrialiser une ombrière gonflable

米其林开发了一种智能充气遮阳结构,可快速部署提供260平方米的阴凉区域。一家新成立的初创公司将负责该创新方案的工业化生产,用于缓解城市热浪冲击。

La Tribune AURA 物联网 能源 创业 Michelin
Tech Breakthrough
TOP500:中国灵犀成为全球最快的超级计算机

TOP500 : Le chinois LineShine devient le supercalculateur le plus rapide au monde

中国超级计算机“LineShine”在最新发布的TOP500榜单中跃居榜首,成为全球运行速度最快的系统。这一突破凸显了中国在高性能计算领域的技术领先地位,预计将显著加速其在人工智能、气候建模等前沿科研与产业应用的发展。

Le Monde Informatique 云计算 科研
Tech Breakthrough Investment
抗生素耐药性:里昂大学附属医院身处噬菌体革命的第一线

Résistance aux antibiotiques : le CHU de Lyon en première ligne de la révolution des phages

里昂公立医院(HCL)历时十年攻关,获得欧洲首个治疗性噬菌体生产许可,完成关键一步。该突破有望推动法国本土噬菌体产业链构建,为对抗抗生素耐药性带来新路径。

La Tribune AURA 生物技术 创业 Hospices Civils de Lyon
Tech Breakthrough
电讯:诺基亚在法国筹划新一轮裁员计划,DeepSeek与长鑫存储未被列入美国黑名单,Marvell Teralynx T100:一款专为AI打造的102.4 Tbit/s芯片

Telex : Nokia prépare un autre plan social en France, DeepSeek et CXMT échappent à la liste noire américaine, Marvell Teralynx T100 : une puce 102,4 Tbit/s taillée pour l'IA

诺基亚计划在法国再次裁员,涉及社会计划;DeepSeek与CXMT暂未被列入美国贸易黑名单;Marvell推出Teralynx T100芯片,交换容量高达102.4 Tbit/s,专为AI网络优化设计。

Le Monde Informatique 半导体 人工智能 电信 DeepSeek Nokia CXMT
Tech Breakthrough Investment
PREVAIL:一个用于嵌入式人工智能的前所未有的欧洲实验平台

PREVAIL : une plateforme européenne d’expérimentation inédite pour l’IA embarquée

欧洲嵌入式AI项目PREVAIL(由CEA-Leti协调,联合Fraunhofer、imec和VTT)宣布其测试实验平台TEF Edge AI HW正式投入运营,已部署52台战略设备,面向学术机构、初创企业和中小企业开放。该平台依托非易失性存储器、3D集成与射频光子连接技术,旨在降低AI硬件验证门槛,加速从原型到下一代应用的边缘智能组件创新。

CEA-Leti 半导体 人工智能 云计算 CEA-Leti (CEA-Leti) IMEC VTT
Tech Breakthrough Event
CEA-Leti 将铁电 RAM 推进至 22nm 节点,为边缘 AI 解锁更密集、更高效的存储器

CEA-Leti Scales Ferroelectric RAM to 22nm Node, Unlocking Denser, More Efficient Memory for Edge AI

法国CEA-Leti在VLSI 2026会议上宣布,成功将铁电存储器(FeRAM)微缩至22纳米节点,采用三维氧化铪锆电容架构,使其密度达到先进10纳米SRAM水平,同时保持非易失性,为边缘AI、高性能计算及物联网设备带来比以往更快、更节能的本地数据处理能力。

CEA-Leti 半导体 人工智能 科研 CEA-Leti (CEA-Leti) Chips Joint Undertaking
Tech Breakthrough Local Research Event Investment
CEA-Leti凭借22纳米FeRAM技术实现重大突破,可为边缘AI带来更紧凑、更节能的存储器。

Le CEA-Leti franchit une étape majeure avec une FeRAM 22 nm, permettant des mémoires plus compactes et sobres en énergie pour l’Edge AI.

法国CEA-Leti在2026年VLSI研讨会上宣布,利用三维电容器架构成功将铁电RAM(FeRAM)微缩至22纳米节点,存储单元密度达到先进10纳米SRAM的水平,且断电不丢失数据。这一突破消除了FeRAM长期面临的密度瓶颈,未来可直接嵌入处理器实现低功耗边缘AI本地运算,大幅降低对云端的能耗依赖,项目获得欧盟“芯片联合计划”及法国“2030投资计划”资助。

CEA-Leti 半导体 人工智能 科研 CEA-Leti (CEA-Leti) Chips Joint Undertaking
Tech Breakthrough Local Research
CEA-Leti 将铁电 RAM 推进至 22nm 节点,为边缘 AI 解锁更密集、更高效的存储器

CEA-Leti Scales Ferroelectric RAM to 22nm Node, Unlocking Denser, More Efficient Memory for Edge AI

法国CEA-Leti在2026年VLSI会议上展示了基于3D垂直结构电容器的22纳米铁电存储器(FeRAM)突破,其单元密度媲美10纳米SRAM且具备非易失性,打破了长期阻碍FeRAM竞争易失性存储的密度瓶颈。该技术消除了唤醒效应,有望将高能效AI推理直接嵌入端侧处理器,减少云端数据传输能耗,并适用于高性能计算、航空航天及物联网平台。