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Le CEA-Leti présente une technique d'assemblage hybride « die-to-wafer » avec un pas de 1 μm, éliminant ainsi un verrou pour les matériels dédiés à l’IA
CEA-Leti在ECTC 2026上宣布，成功演示了间距低至1微米的芯片到晶圆（D2W）混合键合功能测试载体，为高性能计算、智能视觉和AI的3D集成带来突破。该技术可大幅提升AI加速器的互连密度与带宽，缩短数据路径以降低功耗，但1微米间距的良率仍受现有键合工具对位精度限制。研究在欧盟FAMES试点线和法国2030计划NextGen项目框架下进行，后续将集成高密度硅通孔（HD TSV）和氧化层通孔
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CEA-Leti Presents Die-to-Wafer Hybrid Bonding At 1 μm Pitch, Removing Bottleneck for AI Hardware
CEA-Leti在ECTC 2026上宣布，成功展示了间距低至1微米的芯片到晶圆（D2W）混合键合功能测试载具，该技术通过缩短互连路径大幅提升数据传输速度并降低功耗，旨在解决高性能计算和AI加速器的互连密度瓶颈。该研究在FAMES试点线和法国2030倡议下的NextGen项目框架内进行，由CEA-Leti主导，并得到IRT Nanoelec的支持。这一突破为集成高密度硅通孔（HD TSV）和氧化层