法国CEA-Leti与美国晶圆代工厂GlobalFoundries重申长期合作，GlobalFoundries作为终端用户参与欧洲FAMES试点线，共同推进全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）技术研发，旨在提升能效并强化欧洲半导体主权。双方二十余年的合作已催生GF的22FDX平台，并通过FAMES探索下一代器件增强与应变硅衬底创新，以扩展FD-SOI在汽车、边缘AI、5G/6G射频及医疗穿戴等领域的

法国CEA-Leti与美国晶圆代工厂GlobalFoundries重申长期合作，GlobalFoundries作为终端用户参与欧洲FAMES试点线，共同推进全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）技术研发，旨在提升能效并强化欧洲半导体主权。双方二十余年的合作已催生GF的22FDX平台，并通过FAMES探索下一代器件增强与应变硅衬底创新，以扩展FD-SOI在汽车、边缘AI、5G/6G射频及医疗穿戴等领域的

法国CEA-Leti研究所将在2026年6月于西班牙马拉加举办的EuCNC与6G峰会上，通过演示、研讨会展示分布式MIMO、语义通信、感知通信一体化（ISAC）及亚太赫兹超表面等6G技术，并参与多个欧盟SNS项目。该机构还宣布将于同年9月在格勒诺布尔主办“类器官芯片”研讨会，并在PCIM、LID World Summit等展会上推出基于GaN的高功率多电平转换器、超薄压电电源等电力电子创新，以及先

法国CEA-Leti将在2026年IEEE VLSI研讨会上展示三项成果：一篇关于工程化3D HZO铁电电容器以将嵌入式FeRAM缩至22nm的论文，以及神经技术和用于硅量子比特控制的低温CMOS电路两个报告。这些进展由CEA-Leti团队推动，有望在先进存储、神经形态计算和量子计算领域产生重大技术影响。

CEA-Leti 通过旗下 LUMIK 平台提供光机械传感器多项目晶圆（MPW）原型服务，合作伙伴可于 2026 年 11 月 20 日前通过其商业伙伴 CIME-P 提交设计，以分摊成本的方式获取专属芯片。该技术结合 MEMS 与硅光子，性能远超传统传感器，CEA-Leti 与 CEA、CNRS 合作推进其在生物传感器和原子力显微镜等领域的应用。这一服务将加速高灵敏度、便携式传感设备的商业开发与

2025年3月，法国CEA在France 2030框架下启动4000万欧元的AUDACE研究计划，其下属CEA-Leti主导的BrainSync项目将基于WIMAGINE®脑机接口技术，开发针对中风后上肢运动障碍的神经康复疗法。CEA-Leti已联合格勒诺布尔及圣艾蒂安大学医院申请临床试验，并同时获得欧盟EIC Horizon Europe资助，该技术此前已实现四肢截瘫患者控制外骨骼、截瘫患者恢复

法国CEA在法国2030计划下资助4000万欧元启动AUDACE研究项目，CEA-Leti团队参与BrainSync子项目，利用已有世界首创成果的WIMAGINE®脑机接口技术开发中风后上肢康复疗法，并与格勒诺布尔及圣艾蒂安大学医院联合申请临床试验，通过实时耦合运动意图与感觉反馈促进神经可塑性，该项目同时获欧盟EIC资助。

CEA-Leti 推出 LUMIK 技术，允许外部合作伙伴通过多项目晶圆（MPW）共享成本的方式，快速原型开发高性能光机械传感器。感兴趣的各方须在 2026 年 11 月 20 日前通过其商业伙伴 CIME-P 提交设计，该技术将推动便携生物传感器和高精度原子力显微镜等应用的发展。

CEA-Leti在ECTC 2026上宣布，成功展示了间距低至1微米的芯片到晶圆（D2W）混合键合功能测试载具，该技术通过缩短互连路径大幅提升数据传输速度并降低功耗，旨在解决高性能计算和AI加速器的互连密度瓶颈。该研究在FAMES试点线和法国2030倡议下的NextGen项目框架内进行，由CEA-Leti主导，并得到IRT Nanoelec的支持。这一突破为集成高密度硅通孔（HD TSV）和氧化层

由CEA-Leti、Fraunhofer/FMD和imec牵头，联合15家欧洲研究与技术组织启动RESOLVE倡议，旨在开发下一代高能效半导体及电子组件系统。该项目设定2032年前将电子系统能效提升千倍等目标，以加强欧洲在AI、量子技术等领域的战略自主权。预期将为数据中心、汽车、国防等关键行业创造条件，加速从研发到产业化进程并稳固欧洲技术主权。

量子：Quobly确认完成1.15亿欧元融资

Quantique : Quobly confirme une levée de fonds de 115 millions d'euros

法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA Leti）孵化的量子计算初创公司Quobly成功完成1.15亿欧元A轮融资。这家位于格勒诺布尔的企业将利用资金推进其硅基量子计算机的工业化，并计划在2025年底前推出首款商用产品。此举有望加速硅量子比特技术的落地，推动法国在量子计算领域的产业化进程。

Lynred与CEA-Leti通过DEFIR、UNIR和PAULA三个联合实验室深化合作，分别攻关高性能冷却、III-V半导体和低成本非冷却红外探测器技术，覆盖高端与无人机、汽车等大众市场。公司宣布投资1亿欧元建设新厂区Campus，计划2026年启用，旨在2030年前将产能翻倍，从而强化其全球红外探测器领导地位。

Lynred公司启用投资1亿欧元的新园区“Campus”，洁净室面积翻倍，计划到2030年将红外探测器产能提升一倍，并缩小像素间距。该企业与CEA-Leti持续通过三个联合实验室深化合作，重点开发高性能冷却型与低成本非冷却型探测器，以拓展汽车和无人机等批量市场。

CEA-Leti 博士生 Sandra Kozuch 在 AVS 会议上凭借氮化镓（GaN）像素侧壁无损刻蚀工艺获奖，她与设备商 Lam Research 合作开发了一种控制聚合物层沉积的 CH₄/H₂/Ar 等离子刻蚀新机制。这项技术可改善微型发光二极管（micro-LED）的电光效率，对增强现实显示和高性能数据中心的光纤通信应用具有重要商业价值。

法国初创公司Moon Photonics（CEA-Leti于2026年1月成立的衍生公司）宣布开发出具有创纪录灵敏度的光子探测器。该公司计划在2027年推出首代用于红外探测的组件，并目标在2030年将第二代产品应用于量子计算等领域。其核心技术采用碲镉汞半导体材料，使探测器灵敏度比现有方案提升高达20倍，并能在更高温度（80K）下运行，目前已吸引工业界关注并正在完成首轮融资。

欧洲专利局发布2025年技术仪表板报告，法国原子能与替代能源委员会（CEA）再次跻身欧洲前五十大专利申请机构。同时，CEA在格勒诺布尔启动了欧洲微电子试验线FAMES，旨在加速芯片创新并提升欧洲技术主权。此外，法国政府与EDF、法马通、欧安诺等企业共同推进核电复兴计划，确认在彭利新建两座EPR2反应堆，以保障低碳电力供应。

法国CEA-Leti研究所启用了一座2000平方米的洁净室，专门用于300毫米芯片制造，该设施是其FAMES试点产线的一部分，旨在推动欧洲半导体价值链发展。该项目获得8.3亿欧元资金支持，涉及11个欧洲合作伙伴，重点研发FD-SOI、3D集成等先进微电子技术。新设施采用可持续设计，预计每年可减少65.1万公斤二氧化碳排放，为欧洲芯片法案提供产业对接平台。

Lam Research与法国CEA-Leti研究所达成多年合作协议，共同研发用于下一代特种技术器件的新型复合半导体材料与工艺。合作将聚焦微机电系统、3D传感、射频滤波及光子学等领域，旨在加速开发更节能的高性能器件解决方案。Lam将借助其脉冲激光沉积等技术，结合CEA-Leti的材料分析能力，共同攻克人工智能与高性能计算设备的制造难题。

CEA-Leti将于2026年4月21日至22日在日本东京举办第17届MEMS工程师论坛（MEF2026），聚焦MEMS技术发展路线图，特别是麦克风MEMS和光机械传感等下一代设备。此外，CEA-Leti还将在同年6月于法国格勒诺布尔、美国洛杉矶等地举办多场半导体行业峰会，展示其在硅光子学、先进异构集成、微LED及AI硬件架构等领域的最新成果，旨在促进全球产业合作与技术创新。