CEA-Leti 将启动一项多方合作计划，利用 MicroLED 数据链路加速 AI 相关技术发展，重点提升芯片间高速互连与能效表现。该项目由 CEA-Leti 推动，旨在联合产业伙伴和研究机构，共同推进面向 AI 计算的光互连与先进封装方案。若成功落地，这一技术有望降低数据传输瓶颈、提升 AI 系统性能，并增强欧洲在下一代半导体互连领域的竞争力。

法国CEA-Leti研究所研发出新型量子级联激光器（QCL）技术，通过将III-V族材料与硅光子平台异质集成，实现了中红外波段的高性能激光器制造。这项突破由Badhise Ben Bakir等研究人员主导，有望大幅降低光学传感器成本，推动慢性病持续监测等医疗应用走向日常化。该技术采用硅基微电子工艺，为紧凑型高性能传感器的规模化生产奠定了基础。

法国CEA-Leti实验室将在2026年IITC会议上公布两项关键研究：一是通过铌-铌直接键合实现精细间距超导互连，二是由Emmanuel Petitprez等作者提出的低成本中段制程集成方案，旨在缓解10纳米FD-SOI标准单元的M1拥塞。这些成果有望降低先进互连的制造成本并提升芯片密度，对超导集成电路和高性能FD-SOI芯片的商业化进程产生推动影响。

CEA-Leti 将于 2026 年 6 月 3 日至 4 日在法国格勒诺布尔的 MiNaPAD 论坛上，通过 1 号展台和六篇论文展示其在下一代芯片集成与先进封装领域的最新成果，重点涵盖混合键合、扇出型晶圆级封装（FOWLP）、微凸块缩小及压力银烧结等关键技术。其专家将现场介绍面向异构系统级封装的多芯片组装、小芯片光学网络和 3D 集成的环境影响评估，凸显该机构在推进半导体封装生态创新与新架构赋

18家欧洲顶尖研究技术组织联合发起RESOLVE倡议，由CEA-Leti、Fraunhofer/FMD与imec共同领导，旨在开发下一代高能效半导体及电子系统，加速其从实验室到市场的产业化进程。该跨国项目聚焦将电子系统能效至2032年提升千倍，并强化欧洲在人工智能、汽车、国防等战略领域的半导体产能与技术主权。

CEA-Leti在ECTC 2026上宣布，成功演示了间距低至1微米的芯片到晶圆（D2W）混合键合功能测试载体，为高性能计算、智能视觉和AI的3D集成带来突破。该技术可大幅提升AI加速器的互连密度与带宽，缩短数据路径以降低功耗，但1微米间距的良率仍受现有键合工具对位精度限制。研究在欧盟FAMES试点线和法国2030计划NextGen项目框架下进行，后续将集成高密度硅通孔（HD TSV）和氧化层通孔

法国CEA-Leti和CEA-List研究所与台湾力积电（PSMC）宣布战略合作，融合RISC-V处理器与硅光子技术，在力积电3D堆叠平台上开发面向下一代AI的高带宽、高能效计算方案。该合作旨在突破铜互连物理极限和功耗瓶颈，建立高性能数据传输与计算架构的新范式。

法国格勒诺布尔当地时间2026年5月22日，18家欧洲科研与技术机构承诺加入跨国倡议RESOLVE（Reinforcing European SOvereignty and Leadership in Value added Electronics products），以应对量子技术与半导体在全球竞争中带来的主权挑战，并把研发能力转化为可规模化的产业落地。该项目由半导体领域三大欧洲RTO牵头——C

该文章报道了2026年6月8日至9日在法国格勒诺布尔MINATEC举办的干法刻蚀与等离子体加工研讨会，重点围绕半导体、MEMS及新兴应用的干刻蚀、等离子体工艺与相关挑战，并安排了多场主题报告与海报，包括GeTe等离子体刻蚀用于RF开关、基于SOI/SiN的先进光子平台、GeSe-GeTe与GeSe-GeTe薄膜的HBr/H+等离子体刻蚀、LiNbO3波导的反应离子刻蚀以及F等离子体用于腔体清洗的效

法国CEA-Leti宣布将在2026年Hilton Head国际会议上展示结合硅光子与高性能MEMS的新一代光机械传感器，并发表高动态范围GHz光机械谐振器和集成真空等论文，用以推动计时应用和高性能器件革新。该机构还预告将主办“类器官及器官芯片”研讨会，并在LID世界峰会与ECTC上以11篇论文确立其在先进硅集成领域的领先研究地位。

法国CEA-Leti实验室团队结合人工智能推进预测性维护研究，其博士生Guillaume Prevost凭借“知识引导符号回归发现新特征用于滚动轴承退化分析”论文在2025年国际PHM会议上获最佳论文奖。团队成员Leila Merzak与Célestin Ott等正开发基于数字孪生和物理信息AI的损伤预测方案，如应用于膝关节假体，该技术可提升故障检测可靠性并精准预测设备退化，从而延长机器寿命、优化

法国CEA-Leti研究所将在2026年EuroSOI Ulis会议上发表11篇论文，巩固其在全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）等先进硅集成领域的领先研究地位。这些成果涵盖量子计算射频表征、10纳米节点自对准双图案化及应变工程等关键技术，有望推动下一代高性能、低功耗微电子器件的商业化，并促进产学研合作。

CEA-Leti将在格勒诺布尔举办专场活动，聚焦MAGIC胰腺胰岛芯片项目及器官芯片技术，由其健康部门副主任介绍从工业需求到最新科研进展。同时，在LID世界峰会上，CEA-Leti凭借11篇论文（涵盖混合键合与低温工艺）确立其在先进硅集成领域的核心地位，并发布面向下一代显示和数据通信的高性能microLED解决方案。

CEA-Leti发布2026年科学报告，重点展示了在FD-SOI、嵌入式存储器和先进3D集成等半导体技术领域的突破，并通过France 2030与欧洲《芯片法案》强化其全球创新核心地位，加速向工业的技术转移以增强主权。科学主任Thomas Ernst强调与欧洲顶尖研发机构的协作成效，机构同时入选科睿唯安全球百强创新者，研究前沿覆盖光子学、量子及生态创新。

法国CEA-Leti研究所将在于2026年5月26日至29日在美国奥兰多举行的ECTC大会上展示混合键合、扇出型晶圆级封装等下一代芯片集成技术，并发布多项与意法半导体等合作的最新科研成果。该机构同时预告将在法国举办的LID世界峰会和台湾举行的半导体创新论坛上介绍高性能微LED、先进MEMS传感及AI硬件架构等进展。这些活动突显CEA-Leti在先进封装、量子系统互连和新型半导体材料方面的技术领导地

CEA-Leti将在2026年ECTC会议上展示七项先进异构集成技术，包括首次实现1微米间距晶片对晶圆混合键合及低至100°C的超低温键合。研究涉及意法半导体等合作方，重点突破互连缩放极限，推动高性能3D封装。这些成果将赋能5G/6G和汽车雷达等毫米波应用，加速下一代芯片集成发展。

法国CEA-Leti开发出基于进动电子衍射的纳米级应变映射技术，可量化晶格变形，精度达0.02%、空间分辨率1纳米，助力制造更快更节能的处理器。该方法由Nicolas Bernier等团队协作实现，已从实验方案转化为常规表征服务，显著提升了样品处理通量和响应速度，巩固了CEA-Leti在纳米计量领域的全球领先地位。

CEA-Leti推出基于透射电子显微镜（TEM）和旋进电子衍射（PED）的应变映射服务，空间分辨率达1纳米、精度约0.02%，跻身全球纳米计量领先水平。该技术已装备三台TEM，通过简化流程实现了更高通量，可快速获取器件材料变形的精确应变图谱。团队核心成员Nicolas强调基础研究与应用工程的结合，使该技术从实验方法转变为实用的常规表征服务，对先进器件研发具有重要意义。

Aledia，一家源自CEA-Leti的初创公司，发布了其首款产品FlexiNova，该平台可大规模生产其专有的3D氮化镓纳米线microLED，为屏幕制造商提供更高亮度、能效和集成灵活性的新显示技术。该成果源自与CEA-Leti逾十年的联合研发，其硅基工艺大幅降低成本，并计划于2026年1月投入商用，有望挑战现有的LCD与OLED市场格局。