CEA-Leti主导的SEQUANCES项目（自2023年起为期三年）致力于研究量子密钥分发（QKD）系统光电数字接口可能遭受的物理攻击，以深化对该技术的理解并提升其成熟度。该项目增强了CEA-Leti在量子密码领域的专业能力，该机构还参与了法国国家科研署（ANR）资助的QCommTestbed项目，联合九方合作伙伴为法国构建协调化的量子技术测试平台。

由CEA-Leti领导的三年期Carnot SEQUANCES项目研究了量子密钥分发（QKD）系统光学-数字接口的侧信道攻击脆弱性，为提升量子密码技术的安全性成熟度取得重要成果。该项目增强了CEA-Leti在该领域的专业能力，并与法国国家科研署资助的QCommTestbed项目协同，共同推进国家级量子技术测试平台建设。

西班牙计量公司Wooptix宣布在法国格勒诺布尔的CEA-Leti研发中心成功首次部署其Phemet®晶圆计量系统，双方将展开长期合作。该系统于2026年5月安装，提供亚纳米级精度的高速晶圆形状测量，面向先进封装与大规模制造的过程控制。此举将助力Wooptix借助欧洲顶尖半导体研发平台优化技术并探索新应用。

2026年12月14至15日，法国CEA-Leti将在格勒诺布尔科学园举办全英文END研讨会，聚焦负责任数字领域的可持续软硬件集成方案。同期，该机构还将在LID全球峰会、PCIM及等离子刻蚀研讨会展示铁电存储器、氮化镓电源转换器与先进封装等创新，推动欧洲半导体技术主权与高价值产业应用。

法国赛诺菲、CEA-Leti与IAB合作，利用CEA-Leti开发的脂质纳米颗粒Lipidots®，通过“点击化学”成功增强了流感通用疫苗候选抗原M2e的免疫原性。该技术平台制造工艺简单、易于工业放大，并在信使RNA递送等临床前研究中展现出广阔应用潜力。

Wooptix 公司已在法国 CEA-Leti 研究所安装了其首台量产级 Phemet® 半导体晶圆测量系统，标志着双方围绕晶圆级工艺特征与先进封装测量的长期合作正式启动。该系统能提供亚纳米级精度的超快晶圆形状与几何参数测量，旨在应对高量产制造中日益严苛的工艺控制需求。

法国格勒诺布尔大学医院与以色列霍隆理工学院合作开展BipoNIRS研究，博士生Inès Tahir在Mircea Polosan教授指导下，利用EEG与fNIRS双模态脑成像结合AI模型，识别双相情感障碍生物标志物，实现I型与II型患者及健康对照的高精度分类（最高达92%）。该成果证实了紧凑型便携系统的临床实用性，有望推动双相障碍的早期辅助诊断。

法国CEA-Leti将在2026年IEEE VLSI研讨会上展示三项成果：一篇关于工程化3D HZO铁电电容器以将嵌入式FeRAM缩至22nm的论文，以及神经技术和用于硅量子比特控制的低温CMOS电路两个报告。这些进展由CEA-Leti团队推动，有望在先进存储、神经形态计算和量子计算领域产生重大技术影响。

Wooptix在法国CEA-Leti研究所首次安装其Phemet®生产计量系统，建立长期合作，共同开展晶圆级工艺表征和先进封装计量研发。该系统提供亚纳米级超快晶圆几何测量，助力Wooptix在尖端环境中优化技术，并满足高量产制造对更小、更复杂器件的精度需求。

欧洲嵌入式AI项目PREVAIL（由CEA-Leti协调，联合Fraunhofer、imec和VTT）宣布其测试实验平台TEF Edge AI HW正式投入运营，已部署52台战略设备，面向学术机构、初创企业和中小企业开放。该平台依托非易失性存储器、3D集成与射频光子连接技术，旨在降低AI硬件验证门槛，加速从原型到下一代应用的边缘智能组件创新。

由CEA-Leti协调，联合Fraunhofer、imec和VTT的欧洲PREVAIL项目宣布其Edge AI硬件测试实验设施（TEF Edge AI HW）已全面运营并开放。该平台基于非易失性存储器、3D集成和射频/光子连接三大技术支柱，安装了52台战略设备，为欧洲初创企业、中小企业及学术机构提供从原型到下一代应用的验证支持。这将降低Edge AI组件开发门槛，加速工业、出行、医疗等领域的低功耗

法国CEA-Leti在2026年VLSI研讨会上宣布，利用三维电容器架构成功将铁电RAM（FeRAM）微缩至22纳米节点，存储单元密度达到先进10纳米SRAM的水平，且断电不丢失数据。这一突破消除了FeRAM长期面临的密度瓶颈，未来可直接嵌入处理器实现低功耗边缘AI本地运算，大幅降低对云端的能耗依赖，项目获得欧盟“芯片联合计划”及法国“2030投资计划”资助。

法国CEA-Leti在2026年VLSI会议上展示了基于3D垂直结构电容器的22纳米铁电存储器（FeRAM）突破，其单元密度媲美10纳米SRAM且具备非易失性，打破了长期阻碍FeRAM竞争易失性存储的密度瓶颈。该技术消除了唤醒效应，有望将高能效AI推理直接嵌入端侧处理器，减少云端数据传输能耗，并适用于高性能计算、航空航天及物联网平台。

法国CEA-Leti在VLSI 2026会议上宣布，成功将铁电存储器（FeRAM）微缩至22纳米节点，采用三维氧化铪锆电容架构，使其密度达到先进10纳米SRAM水平，同时保持非易失性，为边缘AI、高性能计算及物联网设备带来比以往更快、更节能的本地数据处理能力。

法国CEA-Leti与美国晶圆代工厂GlobalFoundries重申长期合作，GlobalFoundries作为终端用户参与欧洲FAMES试点线，共同推进全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）技术研发，旨在提升能效并强化欧洲半导体主权。双方二十余年的合作已催生GF的22FDX平台，并通过FAMES探索下一代器件增强与应变硅衬底创新，以扩展FD-SOI在汽车、边缘AI、5G/6G射频及医疗穿戴等领域的

法国CEA-Leti与美国晶圆代工厂GlobalFoundries重申长期合作，GlobalFoundries作为终端用户参与欧洲FAMES试点线，共同推进全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）技术研发，旨在提升能效并强化欧洲半导体主权。双方二十余年的合作已催生GF的22FDX平台，并通过FAMES探索下一代器件增强与应变硅衬底创新，以扩展FD-SOI在汽车、边缘AI、5G/6G射频及医疗穿戴等领域的

法国CEA-Leti与格芯宣布继续深化合作，格芯作为终端用户加入欧盟资助的FAMES试点线，共同推进下一代全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术研发。双方二十余年的协作已孵化出格芯22FDX平台等成果，新项目将聚焦器件增强、应变硅衬底及射频、存内计算等方向，服务5G/6G、边缘AI和航天等高可靠应用。此举强化了欧洲在低功耗、自主半导体领域的产业竞争力和技术主权。